Fast-Body-Dioden sorgen für verbesserte Reverse-Recovery-Performance
Pressemeldung der Firma MSC Vertriebs GmbH
Ein besonders niedriger On-Widerstand von lediglich 150 mΩ und eine niedrige Gate-Ladung von nur 20 nC zeichnen die neuen, ab sofort bei MSC erhältlichen 600-V-Super-Junction-MOSFETs von Renesas Electronics aus.
Die drei Bausteine sind mit integrierten, für die Steuerung hochtouriger Motoren optimierten Fast-Body-Dioden ausgestattet, die eine extrem kurze Reverse-Recovery-Zeit von nur zirka 150 ns ermöglichen. Bei ähnlich spezifizierten, bestehenden Super-Junction-MOSFETs liegt dieser Wert etwa dreimal so hoch.
Durch eine Optimierung der Oberflächenkonfiguration konnte zudem die Gate-Drain-Kapazität verringert werde, wodurch das Überschwingen bei gleichzeitiger Beibehaltung des Hochgeschwindigkeitsschaltverhalten minimiert wird. Dies hat unter anderem geringere Schaltverluste und einen stabilen Betrieb speziell in Dreiphasen-Brückenschaltungen zur Folge, die häufig bei der Steuerung von hochtourigen Motoren und Umrichtern zum Einsatz kommen.
Die Super-Junction-MOSFETs wurden in erster Linie für Motorantriebe in Haushaltsgeräten und Klimaanlagen entwickelt, bei denen Hochgeschwindigkeitsmotoren mit Umrichter-Steuerung zum Einsatz kommen. Sie sind in verschiedenen Konfigurationen, die den Industriestandard-Gehäusen TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK) und LDPAK (RJL60S5DPE) entsprechen, erhältlich.
Datenblätter der neuen SJ-MOSFETs von Renesas Electronics können ab sofort unter renesas@msc-ge.com angefordert werden.
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Renesas SJ MOSFET RJ60S5 Series