3,3 x 3,3 mm2 großer asymmetrischer Power Clip Dual-MOSFET von Fairchild Semiconductor ermöglicht höchste Leistungsdichte und Wirkungsgrad bei Stromversorgungen

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Reduziert Leistungsverlust durch geringere parasitäre Gehäuseeffekte und bietet höheren Wirkungsgrad bei höherer Arbeitsfrequenz

Pressemeldung der Firma Fairchild Semiconductor

Da die Leistungsanforderungen bei hochdichten embedded DC-DC-Stromversorgungen immer mehr steigen, stehen die Ingenieure vor dem Problem, dass die Leistungsdichte und der Wirkungsgrad bei gleichzeitig weniger Platz auf der Leiterplatte erhöht werden müssen. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) unterstützt die Entwickler bei dieser Herausforderung durch das neue http://www.fairchildsemi.com/…„>FDPC8011S, ein 3,3 x 3,3 mm2 großes, asymmetrisches 25V Low-Profile Dual Power Clip N-Kanal-Modul.

Das FDPC8011S wurde speziell für einen Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen entwickelt und enthält die 1,4 mΩ SyncFETTM Technologie und einen 5,4 mΩ N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Gütefaktor zur Steuerung in einem Clip-Gehäuse. Dadurch lässt sich die Anzahl der benötigten Kondensatoren und die Größe der Induktivität in synchronen Abwärtsregler-Anwendungen reduzieren. Die Source-Low-Side-Konfiguration des Bauteils erlaubt eine einfache Platzierung und Routing, so dass kompaktere Baugruppen-Layouts und eine optimale thermische Leistung möglich sind. Der FDPC8011S unterstützt einen Ausgangsstrom von über 25 A, was dem doppelten von anderen konventionellen 3 x 3 mm2 Dual-MOSFETs entspricht.

Weitere Informationen und Muster sind erhältlich über: http://www.fairchildsemi.com/…

Funktionen und Vorteile:

– N-Kanal-MOSFET zur Steuerung mit RDS(ON) = 5,4 mΩ typisch, (7,3 mΩ max.) bei VGS = 4,5 V

– Synchroner N-Kanal-MOSFET mit RDS(ON) = 1,4 mΩ typisch, (2,1 mΩ max.) bei VGS = 4,5 V

– Gehäuse mit geringer Induktivität, dadurch kürzere Anstiegs-/Abfallzeiten und niedrigere Schaltverluste

– MOSFET-Integration ermöglicht ein optimales Layout für eine geringe Schaltungsinduktivität und reduziert unkontrolliertes Schwingen

– RoHS-konform

Der http://www.fairchildsemi.com/…„>3.3×3.3mm2 große asymmetrische Power Clip Dual MOSFET ist Teil eines umfassenden Portfolios fortschrittlicher MOSFET-Technologie, die den Entwicklern von Leistungselektronik verschiedene Lösungen für unternehmenskritische Anwendungen zur Informationsverarbeitung mit hohem Wirkungsgrad zur Verfügung stellt.

http://www.fairchildsemi.com/„>Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM.

Preis: 1,60 US-Dollar ab 1.000 Stück

Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage ab sofort erhältlich.

Lieferzeit: 8-12 Wochen

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